半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313077
特許番号：特許第4782302号
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】データの読み出し動作と、リフレッシュ動作とを同時に実行可能な半導体記憶装置において、外部からデータの入力を受けるデータ入力手段と、前記データ入力手段から入力されたデータからパリティを生成するパリティ生成手段と、前記データ入力手段から入力されたデータと、前記パリティ生成手段によって生成されたパリティとを記憶する記憶手段と、前記記憶手段をリフレッシュするリフレッシュ手段と、前記記憶手段からデータを読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段がデータを読み出す最中に前記リフレッシュ手段がリフレッシュの対象としているデータを、正常に読み出された他のデータと、対応するパリティとから復元する復元手段と、前記読み出し手段によって読み出されたデータと、前記復元手段によって復元されたデータとを出力するデータ出力手段と、前記記憶手段に記憶されているパリティを直接読み出して出力するパリティ出力手段と、外部からの要求に応じて、テスト対象の所定の記憶領域がリフレッシュの対象となるように前記リフレッシュ手段を制御する制御手段と、を有し、前記パリティ出力手段は、前記データ出力手段がデータを出力する端子と同一の端子を介してパリティを出力することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/401 ( 200 6.01) , G06F 12/16 ( 200 6.01) , G11C 11/406 ( 200 6.01) , G11C 29/42 ( 200 6.01) , G01R 31/28 ( 200 6.01)

FI (7件)：

G11C 11/34 371 C , G06F 12/16 310 A , G06F 12/16 320 K , G11C 11/34 363 F , G11C 29/00 631 D , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-132093
特開平4-040697
DRAMチップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-089123 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション

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