特許

J-GLOBAL ID：201303092051158334

電子回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 了平 ,  岩田 剛治 ,  太田 敏彦 ,  佐藤 幸博 ,  岡本 和也 ,  渥美 幸一郎
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-017321
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157483
出願日： 2012年01月30日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】電子部品が積層接続されて構成される電子回路装置において、耐熱性、信頼性および生産性を高める。【解決手段】電子部品が積層接続された電子回路装置であって、電子部品(10,20)は、接続用電極(Cu)に積層された互いに融点が異なる接合部材(Ag、Sn)が接合されることにより形成された金属間化合物(Ag3Sn)を介して接続され、金属間化合物(Ag3Sn)の融点は、融点が最も低い接合部材(Sn)の融点よりも高い。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

接続用電極を含む複数の電子部品が積層接続されて構成される電子回路装置であって、 対向配置される各電子部品は、各電子部品の接続用電極に積層された互いに融点が異なる複数の接合部材が互いに接合されることにより形成された金属間化合物を介して、互いに接続されており、 前記金属間化合物の融点は、前記複数の接合部材のうち融点が最も低い接合部材の融点よりも高いことを特徴とする電子回路装置。

IPC (7件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/607 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320

FI (3件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/607 Z ,  H01L21/88 T

Fターム (14件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ98 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-304708   出願人：日本電気株式会社, 三菱電機株式会社, 株式会社東芝
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-000789   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立メディアエレクトロニクス
• 接合体、半導体装置および接合体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-141346   出願人：株式会社東芝
• 特許第523898号