特許
J-GLOBAL ID：200903002558764862

接合体、半導体装置および接合体の製造方法

発明者：
高橋 利英

高橋 利英 について

, 
河野 龍興

河野 龍興 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-141346
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290007
出願日： 2008年05月29日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】実質的にPbおよびAuを含有しない材料を用い、高温条件においても、なお良好な機械的強度を保持する接合部を有する接合体、半導体装置および接合体の製造方法を提供する【解決手段】第1の基材と、第2の基材と、これらの第1の基材と第2の基材とを接合する金属間化合物層を備え、この金属間化合物層がAg3Sn相であり、かつ、第1の基材の接合面または第2の基材の接合面がAg相の金属層であることを特徴とする接合体。または、この金属間化合物層の少なくとも一部がCu3Sn相であり、かつ、第1の基材の接合面または第2の基材の接合面がCu相の金属層であることを特徴とする接合体。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の基材と、 第2の基材と、 前記第1の基材と前記第2の基材とを接合する金属間化合物層を具備し、 前記金属間化合物層がAg3Sn相であり、かつ、前記第1の基材の接合面または前記第2の基材の接合面がAg相の金属層であり、 または、 前記金属間化合物層の少なくとも一部がCu3Sn相であり、かつ、前記第1の基材の接合面または前記第2の基材の接合面がCu相の金属層であることを特徴とする接合体。
IPC (7件)：
H01L 21/52 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/24 ,  C22C 5/06 ,  C22C 9/02 ,  B23K 35/30 ,  H05K 3/34
FI (10件)：
H01L21/52 E ,  B23K35/14 Z ,  B23K35/14 A ,  B23K35/24 310 ,  C22C5/06 Z ,  C22C9/02 ,  B23K35/30 310B ,  B23K35/30 310C ,  H05K3/34 512C ,  H05K3/34 507C
Fターム (13件)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB01 ,  5E319BB08 ,  5E319CC33 ,  5E319CC58 ,  5E319GG20 ,  5F047AA11 ,  5F047AB10 ,  5F047BA05 ,  5F047BA15 ,  5F047BA19 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM