特許
J-GLOBAL ID：201303093595094239
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法および周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061526
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227201
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】表面の荒れが抑えられた周期表第13族金属窒化物結晶を効率良く成長させることができる方法を提供する。【解決手段】周期表第13族金属元素を含む液体または固体材料と反応性ガスを接触させて周期表第13族金属元素を含むガスを発生させ、発生したガスを用いて下地基板上に周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる際に、反応性ガスと接触可能な液体または固体材料の表面積Sを45cm2以上とするか、Sと反応性ガスの単位時間あたりの流量Fc(単位:cm3/s)の比(S/Fc)を13以上とするか、液体または固体材料の表面上を通過する反応性ガスの流路長Lpとガス流路用空間の高さLhの比(Lp/Lh)を6以上にする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
周期表第13族金属元素を含む液体または固体材料と反応性ガスを接触させて周期表第13族金属元素を含むガスを発生させ、発生したガスを用いて下地基板上に周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる、周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法であって、
前記反応性ガスと接触可能な前記液体または固体材料の表面積Sを45cm2以上とすることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/14
, H01L 21/205
, C23C 16/448
C30B29/38 D
, C30B25/14
, H01L21/205
, C23C16/448
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB11
, 4G077EA01
, 4G077EC01
, 4G077ED06
, 4G077EG22
, 4G077EG25
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA11
, 4G077TB04
, 4G077TC01
, 4G077TC07
, 4G077TG06
, 4G077TH02
, 4G077TH06
, 4G077TJ03
, 4G077TK01
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA38
, 4K030BA55
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030JA02
, 4K030JA03
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA20
, 4K030KA04
, 4K030KA25
, 4K030KA45
, 4K030KA46
, 4K030LA14
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F045AA02
, 5F045AA03
, 5F045AA06
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC18
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AE30
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB01
, 5F045BB09
, 5F045CA09
, 5F045CA10
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DP03
, 5F045EK06
, 5F045GH08
, 5F045GH09
, 5F045GH10
