特許
J-GLOBAL ID：201303095170164384
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124953
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153120
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】研磨ストッパとしてのみ用いる絶縁膜を形成する工程を無くすことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板3の主表面3a上に絶縁膜6を形成する工程と、絶縁膜6をマスクとして半導体基板3に所定方向に延設された複数のトレンチ8を形成する工程と、主表面3aのうちトレンチ8の間に位置する部分上に形成されている絶縁膜6を第1絶縁膜6aとし、主表面3aのうちトレンチ8の間に位置する部分以外上に形成されている絶縁膜6を第2絶縁膜6bとしたとき、第1絶縁膜6aを除去すると共に、第2絶縁膜6bの一部を残しつつ第2絶縁膜6bにおけるトレンチ8の開口部を囲む部分を除去する工程と、トレンチ8内に当該エピタキシャル膜9を埋め込む工程と、主表面3a上に残存している第2絶縁膜6bを研磨ストッパとして用いつつ、主表面3a側からエピタキシャル膜9を研磨する平坦化工程とを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(3a)を有する半導体基板(3)を用意する工程と、
前記主表面(3a)上に絶縁膜(6)を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜(6)をマスクとして前記半導体基板(3)に所定方向に延設された複数のトレンチ(8)を形成するトレンチ形成工程と、
前記主表面(3a)のうち前記トレンチ(8)の間に位置する部分上に形成されている前記絶縁膜(6)を第1絶縁膜(6a)とし、前記主表面(3a)のうち前記トレンチ(8)の間に位置する部分以外上に形成されている前記絶縁膜(6)を第2絶縁膜(6b)としたとき、前記第1絶縁膜(6a)を除去すると共に、前記第2絶縁膜(6b)の一部を残しつつ前記第2絶縁膜(6b)における前記トレンチ(8)の開口部を囲む部分を除去する絶縁膜除去工程と、
前記絶縁膜除去工程の後に、前記主表面(3a)側からエピタキシャル膜(9)を成長させて前記トレンチ(8)内に当該エピタキシャル膜(9)を埋め込む工程と、
前記主表面(3a)上に残存している前記第2絶縁膜(6b)を研磨ストッパとして用いつつ、前記主表面(3a)側から前記エピタキシャル膜(9)を研磨する平坦化工程と、を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/304
H01L29/78 658G
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 652H
, H01L21/304 622T
5F057AA11
, 5F057AA17
, 5F057BA16
, 5F057BA18
, 5F057BA24
, 5F057CA12
, 5F057CA31
, 5F057DA03
, 5F057DA08
, 5F057DA28
