特許
J-GLOBAL ID：201303095268221718
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261289
特許番号：特許第4766758号
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁表面上に電極を形成し、
前記電極上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に非晶質構造を有する第1のシリコン膜を形成し、
前記非晶質構造を有する第1のシリコン膜にNiを添加し、加熱処理を行うことによって、前記非晶質構造を有する第1のシリコン膜を結晶化させて結晶構造を有する第1のシリコン膜を形成し、
前記結晶構造を有する第1のシリコン膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を1×1019〜1×1022/cm3の濃度で含む第2のシリコン膜を形成し、
前記第2のシリコン膜に前記Niをゲッタリングして、前記結晶構造を有する第1のシリコン膜中の前記Niを除去または低減し、
前記第2のシリコン膜及び前記バリア層を順に除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/322 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 Z
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 A
, H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/322 J
