特許
J-GLOBAL ID：201303095437007160

トランジスタ

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
松林 大介

松林 大介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-012926
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179278
出願日： 2013年01月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】短チャネル効果に強いトランジスタを提供する。【解決手段】ソースと半導体層との接合部及びドレインと半導体層との接合部において、ソース側領域の多数キャリアの密度nsSが数式(1)の関係を満たし、ドレイン側領域の多数キャリアの密度nsDが数式(2)の関係を満たす半導体を用いることにより、DIBL効果を抑制する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体層に接して設けられたソース及びドレインと、ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に設けられたゲートと、を有し、前記半導体層が前記ゲートと重畳する領域にチャネル領域が形成されるトランジスタであって、 前記チャネル領域は、ソース側領域、実効チャネル領域、及びドレイン側領域を含み、 前記ドレイン側領域の長さをLD、 前記ドレイン側領域の電圧降下をVSDD、 前記ドレイン側領域のエネルギー障壁と、前記ドレイン側領域の電圧降下と素電荷との積、との差をevD、 前記ソースと前記ソース側領域との境界でのフェルミポテンシャルをφF0、 真性電子密度をni、 前記実効チャネル領域と前記ドレイン側領域との境界での表面電位をφsD、 前記実効チャネル領域と前記ソース側領域との境界での表面電位をφsS、 前記半導体層のバンドギャップをEg、 半導体層の誘電率をε、 素電荷をe、 ボルツマン定数をk、 絶対温度をTとしたとき、 前記ソース側領域の多数キャリアの密度nsSが、数式(1)の関係を満たし、 前記ドレイン側領域の多数キャリアの密度nsDが、数式(2)の関係を満たし、 かつ、前記ドレイン側領域の長さLDが、数式(3)で表されることを特徴とするトランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 618B
Fターム (25件)：
5F110AA04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK42 ,  5F110HL27 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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