特許
J-GLOBAL ID：201303095777185860
透明導電性フィルム
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
楠本 高義
, 中越 貴宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189458
特許番号：特許第5190554号
出願日： 2012年08月30日
要約：
【課題】フィルム基材上にインジウムスズ酸化物膜を形成した透明導電性フィルムにおいて、インジウムスズ酸化物の結晶化処理を、フィルム基材の耐熱温度以下の低温で、短時間で行ない、表面抵抗値が低い透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明導電性フィルム10は、2つの主面をもつフィルム基材11と、フィルム基材11の一方の主面に形成された透明導電膜12を備える。透明導電膜12は、フィルム基材11側から、第一のインジウムスズ酸化物層13、第二のインジウムスズ酸化物層14、第三のインジウムスズ酸化物層15が、この順に積層された3層膜である。第一のインジウムスズ酸化物層13の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層14の酸化スズ含有量より少ない。第三のインジウムスズ酸化物層15の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層14の酸化スズ含有量より少ない。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 2つの主面をもつフィルム基材と、前記フィルム基材の一方の主面に形成された透明導電膜を備えた透明導電性フィルムであって、
前記透明導電膜は、前記フィルム基材側から、第一のインジウムスズ酸化物層、第二のインジウムスズ酸化物層、および第三のインジウムスズ酸化物層が、この順に積層された3層膜であり、
前記第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少なく、
前記第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少ないことを特徴とする透明導電性フィルム。
IPC (5件)：
H01B 5/14 ( 200 6.01)
, B32B 9/00 ( 200 6.01)
, B32B 7/02 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
H01B 5/14 A
, B32B 9/00 A
, B32B 7/02 104
, C23C 14/06 P
, C23C 14/08 D
