特許

J-GLOBAL ID：201303096911074686

半導体基板の評価方法

発明者： 大槻 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-279207
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131591
出願日： 2011年12月21日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】半導体基板の中で局在する欠陥位置を効率良く特定して評価することが可能な半導体基板の評価方法を提供する。【解決手段】半導体基板の評価方法であって、半導体基板表面にPN接合を形成し、該PN接合におけるリーク電流を測定し、該リーク電流の測定結果に基づいて欠陥が存在すると予想されるセルを選定し、該選定したセルに電子線を照射して走査し、検出された発光の波長ごとに発光強度の分布を作成し、該作成した発光強度の分布に基づいてセル内に存在する欠陥の面内位置を特定し、該欠陥について評価を行う半導体基板の評価方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体基板の評価方法であって、 半導体基板表面にPN接合を形成し、該PN接合におけるリーク電流を測定し、該リーク電流の測定結果に基づいて欠陥が存在すると予想されるセルを選定し、該選定したセルに電子線を照射して走査し、検出された発光の波長ごとに発光強度の分布を作成し、該作成した発光強度の分布に基づいてセル内に存在する欠陥の面内位置を特定し、該欠陥について評価を行うことを特徴とする半導体基板の評価方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/66 Y

Fターム (12件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA10 ,  4M106AB11 ,  4M106BA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH16 ,  4M106DJ38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-141232   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-255788   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251719   出願人：沖電気工業株式会社, 宮城沖電気株式会社, 株式会社東レリサーチセンター
• 半導体表面層特性の測定評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-059549   出願人：荻田陽一郎