特許
J-GLOBAL ID：201303096925657986

トランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器

発明者：
牛倉 信一

牛倉 信一 について

, 
八木 巖

八木 巖 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-257437
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115098
出願日： 2011年11月25日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、 前記半導体層上のエッチングストッパ層と、 前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、 前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、 を備えたトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (8件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
Fターム (82件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD65 ,  4M104DD72 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE10 ,  4M104EE18 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104FF30 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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