特許

J-GLOBAL ID：200903007378157552

表示装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215391
公開番号（公開出願番号）：特開2008-077074
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面に選択的に光吸収層を形成し、 前記絶縁表面上及び前記光吸収層上に絶縁層を形成し、 前記絶縁表面、前記光吸収層及び前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記絶縁層のレーザ光照射領域において前記光吸収層上の前記絶縁層のみを選択的に除去し前記絶縁層に前記光吸収層に達する開口を形成し、 前記開口に前記光吸収層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。

IPC (10件)：

G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/302 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/10 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/00

FI (10件)：

G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 201B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/10 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338

Fターム (191件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA17 ,  2H092MA41 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC29 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA10 ,  5C094GB10 ,  5F004BB03 ,  5F004CA05 ,  5F004DB09 ,  5F004DB31 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033MM19 ,  5F033NN16 ,  5F033NN17 ,  5F033NN32 ,  5F033NN34 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033VV06 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC08 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK37 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435FF14 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-305726   出願人：鹿児島日本電気株式会社

審査官引用 (5件)

• バイアホール形成方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241332   出願人：日本電気株式会社
• 透明薄膜除去装置、透明薄膜除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311258   出願人：シャープ株式会社, 住友重機械工業株式会社
• プリント基板およびその加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050657   出願人：オムロン株式会社
• 半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-057344   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 孔加工方法及び孔加工体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-109440   出願人：ソニー株式会社