特許
J-GLOBAL ID：201303098068299746
光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008575
公開番号（公開出願番号）：特開2008-176998
特許番号：特許第5163849号
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】樹脂材料で構成された基材に支持された第1の電極上に、色素層が接触した電子輸送層を形成する工程と、
前記電子輸送層および前記色素層を介して、前記第1の電極と反対側に第2の電極を形成する工程と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に、電解質層を形成する工程とを有し、
前記電子輸送層を形成する工程において、八ニオブ酸カリウム(K2Nb8O21)または六チタン酸ナトリウム(Na2Ti6O13)の単結晶材料の粒子を分散媒に分散してなる分散液を、前記第1の電極上に供給して液状被膜を形成した後、該液状被膜に、前記樹脂材料の耐熱温度未満の温度で熱処理を施すことにより、前記液状被膜中から前記分散媒を揮発・除去することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/04 ( 200 6.01)
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
