特許
J-GLOBAL ID：201303098155512472

面発光型半導体レーザーの製造方法

発明者：
小野 昭次

小野 昭次 について

, 
小池 誠

小池 誠 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-234711
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093439
出願日： 2011年10月26日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：
【課題】電流狭窄層を形成する工程において、電流狭窄層となる層の酸化反応が阻害されることを抑制できる面発光型半導体レーザーの製造方法を提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザー100の製造方法は、共振器の少なくとも一部を含む柱状部20を有する面発光型半導体レーザーの製造方法であって、SiCl4を含むガスを用いたエッチングにより、柱状部20を形成しつつ、柱状部20の側面21にシリコン含有膜を形成する工程と、フッ素系ガスを用いたエッチングにより、シリコン含有膜110を除去する工程と、柱状部20を構成する層のうち少なくとも1層を側面から酸化することにより、電流狭窄層28を形成する工程と、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
共振器の少なくとも一部を含む柱状部を有する面発光型半導体レーザーの製造方法であって、 SiCl4を含むガスを用いたエッチングにより、前記柱状部を形成しつつ、前記柱状部の側面にシリコン含有膜を形成する工程と、 フッ素系ガスを用いたエッチングにより、前記シリコン含有膜を除去する工程と、 前記柱状部を構成する層のうち少なくとも1層を側面から酸化することにより、電流狭窄層を形成する工程と、 を含む、ことを特徴とする面発光型半導体レーザーの製造方法。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (10件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AR99
引用特許：
審査官引用 (4件)
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