特許
J-GLOBAL ID：201303098559446813

マルチビーム半導体レーザ装置

発明者：
成井 啓修

成井 啓修 について

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亀井 正文

亀井 正文 について

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阿河 圭吾

阿河 圭吾 について

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半澤 康成

半澤 康成 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324944
特許番号：特許第5122708号
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体レーザ素子を複数個備え、 前記半導体レーザ素子は、 基板と、 前記基板に設けられ、前記基板面と平行な上面を有するストライプ状メサ型リッジと、 前記リッジの上面を底辺とする三角形断面のストライプ状積層構造を有するレーザ共振器構造と、 前記リッジ及び前記レーザ共振器構造を埋め込む埋め込み積層構造とを備え、 前記埋め込み積層構造の上面および前記埋め込み積層構造上の電極の上面が、前記レーザ共振器構造上にストライプ状に形成された中央面部と、前記レーザ共振器構造上の外側で前記中央面部の両脇に設けられ、前記中央面部より高い側縁面部と、前記中央面部と前記側縁面部との間に前記中央面部に沿って設けられ、前記中央面部より低い低面部とから構成され、 前記中央面部が同じ方向に向けて並列配列された マルチビーム半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/227 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/227
引用特許：
審査官引用 (4件)
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