特許
J-GLOBAL ID：201303098728654765

Si系クラスレートの製造方法

発明者：
野々村 修一

野々村 修一 について

, 
久米 徹二

久米 徹二 について

, 
伴 隆幸

伴 隆幸 について

, 
大橋 史隆

大橋 史隆 について


出願人/特許権者：
国立大学法人岐阜大学

国立大学法人岐阜大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153635
公開番号（公開出願番号）：特開2013-018679
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとGeとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ge粉末は、Si粉末とGe粉末の総モル数に対する割合が1モル%以上20モル%以下となるように使用されることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Naを内包するII型のSi系クラスレートの製造方法であって、 Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、 前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとGeとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程と、 を備えていることを特徴とするII型のSi系クラスレートの製造方法。
IPC (1件)：
C01B 33/02
FI (1件)：
C01B33/02 Z
Fターム (11件)：
4G072AA50 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072JJ09 ,  4G072LL03 ,  4G072RR13 ,  4G072UU01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM