特許

J-GLOBAL ID：201303098728654765

Si系クラスレートの製造方法

発明者： 野々村 修一 ,  久米 徹二 ,  伴 隆幸 ,  大橋 史隆
出願人/特許権者： 国立大学法人岐阜大学
代理人 (1件)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153635
公開番号（公開出願番号）：特開2013-018679
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとGeとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ge粉末は、Si粉末とGe粉末の総モル数に対する割合が1モル%以上20モル%以下となるように使用されることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Naを内包するII型のSi系クラスレートの製造方法であって、 Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、 前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとGeとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程と、 を備えていることを特徴とするII型のSi系クラスレートの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/02

FI (1件)：

C01B33/02 Z

Fターム (11件)：

4G072AA50 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072JJ09 ,  4G072LL03 ,  4G072RR13 ,  4G072UU01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• クラスレート化合物薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147359   出願人：日本電気株式会社
• クラスレート化合物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342101   出願人：日本電気株式会社
• クラスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-130158   出願人：工業技術院長, 金山敏彦, 日本電気株式会社
• クラスレート化合物と高効率熱電材料およびそれらの製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220568   出願人：石川島播磨重工業株式会社, 円谷和雄