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J-GLOBAL ID：201402205456193628   整理番号：14A0891257

酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用

Atomic Switch-type Resistive Switching Memory using Oxide Nanofilms and Its Applications

著者 (2件)： 鶴岡徹 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  長谷川剛 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 88(SDM2014 43-61)  ページ： 85-90  発行年： 2014年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化物ナノ薄膜中の金属イオン伝導とヘテロ界面の固体電気化学反応を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリーの動作機構解明と機能化に向けた取り組みについて述べる。動作モデルの提案と温度依存性によるモデル妥当性の検証,酸化物中の吸着水の影響などを検討した結果,金属イオンが酸化物ナノ薄膜中でどのように振る舞うかが分かってきた。また,機能化という観点から,原子スイッチの特徴である量子化コンダクタンスとシナプス動作の実現,3端子素子‘アトムトランジスタ’への展開についても述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチ ,  *酸化物 ,  *ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  *原子 ,  イオン伝導 ,  トランジスタ ,  シナプス ,  コンダクタンス ,  電子移動 ,  量子効果 ,  *スイッチング ,  温度依存性 ,  オン抵抗 ,  電流電圧特性 ,  銀 ,  酸化タンタル ,  白金 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 原子スイッチ ,  ナノ薄膜 ,  抵抗変化メモリ ,  アトムトランジスタ ,  シナプス動作 ,  量子化コンダクタンス ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono, Quantized conductance atomic switch, Nature, vol.433, no.1, pp.47-50, January 2005.
• T. Sakamoto, K. Lister, N. Banno, T. Hasegawa, T. Terabe, and M. Aono, Electronic transport in Ta₂O₅ resistive switch, Appl. Phys. Lett., vol.91, no. 9, pp. 092110, August 2007.
• T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono, Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory, Nanotechnology, vol.21, no.42, pp.425205, October, 2010.
• T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono, Temperature effects on the switching kinetics of a Ta₂O₅-based atomic switch, Nanotechnology, vol. 22, no.25, pp.254013, June 2011.
• T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser, and M. Aono, Effects of moisture on the switching characteristics of oxide-based, gapless-type atomic switches, Adv. Func. Mater., vol. 22, no. 1, pp.70-77, January 2012.

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  ナノ薄膜 ,  原子スイッチ ,  抵抗変化メモリー ,  応用