親水性処理により制御されたフォトレジスト多層構造中のミクロピンホール形成

NOGUCHI Yuta; TAKAHASHI Kenta; KAWAI Akira

文献

J-GLOBAL ID：201402207650430455 整理番号：14A0159065

親水性処理により制御されたフォトレジスト多層構造中のミクロピンホール形成

Micro Pinhole Formation in Photoresist Multilayer Structure controlled with Hydrophilic Treatment

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資料名：
巻： 26 号： 6 ページ： 739-744 発行年： 2013年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

フォトレジスト多層構造中のピンホール形成はデバイス製造にとって重大欠陥として作用する。この研究の目的は親水性処理によるピンホール防止と表面自由エネルギーから見たピンホール形成機構の解析である。最も単純な多層構造としてSU-8フォトレジスト表層をSU-8底層上にスピンコーティングした。ピンホールは無処理の底層上に形成したが,底層を親水性プロセスにより処理したときにはピンホールが観測できなかった。したがって,各SU-8層の表面自由エネルギーと拡散係数を評価した。無処理の場合,拡散係数Stopの絶対値が比較的小さいので,ピンホール形成は混入物により引起される可能性があった。底層,液体表層及び空気の三重点がピンホール形成区域で出現する。空気は拡散係数Sair>0のため底層と表層の界面中へ侵入できない。そのため,ピンホール拡張現象は液体表層の張力と粘弾性により支配される。親水性処理により底層の表面自由エネルギーが劇的に増加する。その結果としてピンホール形成現象はStop<<0の理由で防止される。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般 , その他の高分子の反応

引用文献 (10件)：

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