文献

J-GLOBAL ID：201402208773117464   整理番号：14A1147497

材料の高強度化・高機能化を実現する凝固プロセス技術と解析技術の最前線 Czシリコン単結晶の凝固プロセス中に水素を添加することで達成できるプロセスゾーンの拡大

著者 (5件)： 杉村渉 (SUMCO) ,  杉村渉 (九大 大学院工学研究院) ,  小野敏昭 (SUMCO) ,  宝来正隆 (SUMCO) ,  東田賢二 (九大 大学院工学研究院)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 53  号： 10  ページ： 454-457  発行年： 2014年10月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 無欠陥シリコン結晶を育成するプロセス開発は,半導体デバイスの微細化の重要な課題である。ここでの欠陥は,空孔と格子間シリコンを一次欠陥,ボイドや転位クラスタを二次欠陥と定義する。二次欠陥が形成しない成長速度の範囲,すなわち無欠陥結晶を育成するν/G(成長速度νと固液界面近傍の温度勾配Gの比)の幅を無欠陥結晶のプロセスゾーンとした。結晶の大口径化につれこのプロセスゾーンは狭くなる。Cz(Czochralski)結晶の歩留り改善や高品質化のためにはプロセスゾーンの拡大が必要である。空孔や格子間シリコンと強い相互作用を有する水素に着目し,Czシリコン単結晶を育成する装置の中に水素ガスを導入することで,プロセスゾーンの拡大可否を検討した。次に水素がCz結晶の品質に及ばす影響について,水素起因の欠陥形成有無について調べた。水素はシリコンの凝固過程で空孔と格子間シリコンと相互作用し,ボイドや転位クラスタの形成挙動に影響を及ぼした。特に転位クラスタの形成を抑制した。

シソーラス用語： *凝固 ,  *ケイ素 ,  水素 ,  ドーピング ,  欠陥 ,  転位【結晶】 ,  半導体材料 ,  空格子点 ,  結晶成長 ,  成長速度 ,  空孔欠陥 ,  Czochralski法 ,  水素化 ,  水素吸蔵 ,  クラスタ ,  固液界面 ,  温度勾配 ,  単結晶 ,  格子間原子

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (7件)：

• V. V. Voronkov: J. Crystal Growth, 59 (1982), 625-643.
• 末澤正志;1999年応用物理学会結晶工学分科会,第110回研究テキスト,11-18.
• M. Suezawa: J. Appl. Phys., 83(1998), 1958-1961.
• T. H. Wang: J. Crystl. Growth, 109 (1991), 155-161.
• Y. Sugita: Japan. J. Appl. Phys., 4 (1965), 962-972.

タイトルに関連する用語 (9件)： 高強度 ,  高機能化 ,  凝固 ,  プロセス ,  解析 ,  シリコン単結晶 ,  水素 ,  ゾーン ,  拡大