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J-GLOBAL ID：201402215095697664   整理番号：14A0159076

光増感化学増幅レジスト(PS-CAR)プロセスによる超高感度増強

Super High Sensitivity Enhancement by Photo-Sensitized Chemically Amplified Resist (PS-CAR) Process

著者 (3件)： TAGAWA Seiichi ,  ENOMOTO Satoshi ,  OSHIMA Akihiro
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 26  号： 6  ページ： 825-830  発行年： 2013年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年にわたって極端紫外(EUV)光源の低強度が有望な次世代高容量製造(HVM)EUVリソグラフィー法の最も重要な問題であった。特に,この低出力を相殺するためのEUVレジストの感度増強はEUVリソグラフィーのHVM実用化の最も重大な課題の1つであった。しかし,EUV光源出力強度は必要値より1桁以下にとどまっている。分解能など他の重要な性質のいかなる損失をすることなしに,EUVレジストの感度増強はEUV単独露光におけるEUV光源の低強度を相殺するには不十分であった。したがって,著者らは1^stEUVパターン露光と2^ndUV投光露光のリソグラフィー(PF組合せリソグラフィー)と光増感化学増幅レジスト(PS-CAR)の組合せによりかなりのレジスト感度を増加させる方法を提案した。この方法はEUVのみならず電子ビーム,ArF及び他の型のパターン露光により高感度増強を達成した。このようにして,1^stEBパターン露光と2^ndUV投光露光のRF組合せリソグラフィーとPS-CARにより空間分解能のいかなる損失無しで1桁以上の感度増加を従来のリソグラフィーと比較して達成した。EB及びEUVレジスト間の相違はエネルギー吸収過程を含み,EUVのレジスト感度はEBリソグラフィーの露光結果から容易に予測できる。したがって,PS-CARのEUVパターン露光-UV投光露光組合せリソグラフィーの反応機構はPS-CARのEBパターン露光-UV投光露光組合せリソグラフィーにより基本的に評価できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,  光酸発生剤 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  高感度 ,  紫外線照射 ,  電子照射 ,  *多重露光 ,  空間分解能 ,  光増感反応 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー

分類 (2件)： その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (41件)：

• H.J. Levinson, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 8 (2009) 1.
• S. Wurm, J. Photopolym. Sci. Technol. 22 (2009) 31.
• B.J. Lin, Microelectronic Eng. 86 (2009) 442.
• G.M. Gallatin, Proc. SPIE 5754 (2005) 38.
• H. Ito, C.G. Willson, Polym. Eng. Sci. 23 (1983) 1012.

タイトルに関連する用語 (6件)： 光増感 ,  化学増幅レジスト ,  PS ,  プロセス ,  高感度 ,  増強