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J-GLOBAL ID：201402235199275614   整理番号：14A1039960

16kV超高電圧SiCフリップ型nチャネルIE-IGBTを使った大電流容量モジュールの動特性

Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT

著者 (39件)： MIZUSHIMA Tomonori (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TAKENAKA Kensuke (AIST, Ibaraki, JPN) ,  FUJISAWA Hiroyuki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KATO Tomohisa (AIST, Ibaraki, JPN) ,  HARADA Shinsuke (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA Yasunori (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OKAMOTO Mitsuo (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SOMETANI Mitsuru (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OKAMOTO Dai (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KUMAGAI Naoki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KUMAGAI Naoki (Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUNAGA Shinichiro (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MATSUNAGA Shinichiro (Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  DEGUCHI Tadayoshi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ARAI Manabu (New Japan Radio Co. Ltd., Saitama, JPN) ,  HATAKEYAMA Tetsuo (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MAKIFUCHI Youichi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ARAOKA Tsuyoshi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OOSE Naoyuki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TSUTSUMI Takashi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIKAWA Mitsuru (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TATERA Katsumi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  OGATA Syuji (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  NAKAYAMA Koji (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  HAYASHI Toshihiko (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  ASANO Katsunori (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  HARASHIMA Masayuki (Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  SANO Yukio (Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  MORISAKI Eisuke (Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  TAKEI Manabu (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TAKEI Manabu (Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Masaaki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KIMURA Hiroshi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OTSUKI Akihiro (Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Kenji (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 26th  ページ： 277-280  発行年： 2014年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *高電圧 ,  *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  N型半導体 ,  *IGBT ,  *動特性 ,  *送電系統 ,  温度依存性 ,  *ターンオフ ,  *スイッチング損失 ,  キャリア注入 ,  エピタクシー ,  熱安定性 ,  ターンオン ,  並列接続 ,  スイッチング素子 ,  スマートグリッド ,  EHV【電圧】
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  超高電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  送電  (NB05030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超高電圧 ,  SiC ,  Nチャネル ,  電流容量 ,  モジュール ,  動特性