文献
J-GLOBAL ID：201402248931872005
整理番号：14A0226331
GaN電力デバイスの現状
Current status of GaN power devices
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出版者サイト
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著者 (2件)：
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資料名：
巻：
10
号：
21
ページ：
20132005-20132005 (J-STAGE)
発行年：
2013年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaN電力デバイスの性能が急速に改善されている。最近では,その主要アプローチとしてSi基板上でのAlGaN/GaN HEMT構造体の使用があり,その目標降伏電圧は当初は600Vまたはそれ以下である。電流コラプスやノーマリオフ動作に必要な閾値電圧については依然として課題が残っているが,多くの会社はこのようなデバイスの商業化への意思表示をしている。本報告では,GaN電力デバイスに関する最近の開発を検討し,未解決の課題や将来の期待を検討する。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ
引用文献 (33件)：
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[1] N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang and T. P. Ma: Phys. Stat. Sol.(a) 188 (2001) 213.
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[2] COMPOUND SEMICONDUCTOR 19 [2] (2013) 35.
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[3] R. Vetury, N.-Q. Zhang, S. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 [3] (2001) 560.
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[4] A. F. Anwar, S. S. Islam and R. T. Webster: Appl. Phys. Lett. 84 [11] (2004) 1970.
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[5] W. Saito, Y. Kakiuchi, T. Nitta, Y. Saito, T. Noda, H. Fujimoto, A. Yoshioka, T. Ohno and M. Yamaguchi: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 659.
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タイトルに関連する用語 (3件)：
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