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J-GLOBAL ID：201402260664399575   整理番号：14A0414759

反応性RFスパッタリング法で作成した非晶質窒化カーボンのDC伝導度の研究

DC electrical conductivity study of amorphous carbon nitride films prepared by reactive RF magnetron sputtering

著者 (6件)： TAMURA Naoyuki (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  AONO Masami (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  HARATA Tomo (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  KISHIMURA Hiroaki (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  KITAZAWA Nobuaki (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE Yoshihisa (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2S  ページ： 02BC03.1-02BC03.4  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素を含まない非晶質窒化カーボン(a-CN_x)の電気的性質に対する化学結合状態の影響を報告する。(a-CN_x膜は反応性RFスパッタリング法で,成長温度を変化させて作成した。a-CN_x膜の電気伝導度は,成長温度の増加とともにsp²C-C結合サイトが支配的になるために増加した。N-sp²C結合状態の割合は電気伝導度の増加に大きく寄与していることが判明した。窒素の含有により膜中のsp³C-C結合の割合が増加する。その結果,a-CN_x膜m伝導度は同じ条件で成長したa-Cと比べ低下した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  *電気伝導率 ,  炭素材 ,  窒化炭素 ,  直流電気伝導度 ,  アモルファスカーボン
準シソーラス用語： DC電気伝導度 ,  非晶質炭素

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

引用文献 (33件)：

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• Y. Miyajima, S. J. Henley, and S. R. P. Silva, Thin Solid Films 519, 6374 (2011).
• S. Kumar, C. Godet, A. Goudovskikh, J. P. Kleider, G. Adamopoulos, and V. Chu, J. Non-Cryst. Solids 338-340, 349 (2004).
• X. W. Liu, C. H. Tseng, J. H. Lin, L. T. Chao, and H. C. Shih, Surf. Coatings Technol. 135, 184 (2001).
• M. A. Monclus, D. C. Cameron, R. Barklie, and M. Collins, Surf. Coatings Technol. 116-119, 54 (1999).

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性 ,  RFスパッタリング ,  非晶質 ,  窒化 ,  カーボン ,  DC ,  伝導度 ,  研究