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J-GLOBAL ID：201402272840511245   整理番号：14A0575587

集積CMOS-MEMS技法に対する多重物理学シミュレーションで設計した容量性CMOS-MEMSセンサ

A capacitive CMOS-MEMS sensor designed by multi-physics simulation for integrated CMOS-MEMS technology

著者 (7件)： KONISHI Toshifumi (NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMANE Daisuke (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUSHIMA Takaaki (NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN) ,  MASU Kazuya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MACHIDA Katsuyuki (NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN) ,  MACHIDA Katsuyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TOSHIYOSHI Hiroshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 4S  ページ： 04EE15.1-04EE15.7  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,提示したセンサ回路と,その回路上に実装した容量性MEMS素子とからなる容量性CMOS-MEMSセンサについて,設計および評価を報告した。容量性CMOS-MEMSセンサの設計に対して,MEMS構造およびセンシングLSIの両方に関する電気機械挙動の多重物理学シミュレーションを同時に行った。この設計の有効性を証明するため,著者らは,この容量性CMOS-MEMSセンサを,0.35μm CMOS回路への後CMOS処理によって実装したMEMS加速度計に応用した。このCMOS-MEMS加速度計の実験結果は,加速度範囲0.5~6G(1G=9.8m/s²)(出力電圧それぞれ908.6および915.4mVの間)でのシミュレーション結果と良い一致を示した。したがって,著者らは,著者らの容量性CMOS-MEMSセンサおよび多重物理学シミュレーションが,集積CMOS-MEMS技法の実現に対する有効な方法であり得ると確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MEMS ,  *CMOS構造 ,  *センサ ,  計算機シミュレーション ,  LSI【IC】 ,  電気機械効果 ,  加速度計 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  MEMSセンサ ,  *MOS構造 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (40件)：

• C.-M. Ho and Y.-C. Tai, Annu. Rev. Fluid Mech. 30, 579 (1998).
• H. Xie, Y. Pan, and G. K. Fedder, Sens. Actuators A 103, 237 (2003).
• G. L. Cote, R. M. Lec, and M. V. Pishko, IEEE Sens. J. 3, 251 (2003).
• R. A. M. Receveur, C. R. Marxer, R. Woering, V. C. M. H. Larik, and N.-F. de Rooij, J. Microelectromech. Syst. 14, 1089 (2005).
• H. Kudo, T. Sawada, E. Kazawa, H. Yoshida, Y. Iwasaki, and K. Mitsubayashi, Biosens. Bioelectron. 22, 558 (2006).

タイトルに関連する用語 (10件)： 集積 ,  CMOS ,  MEMS ,  技法 ,  多重 ,  物理学 ,  シミュレーション ,  設計 ,  容量性 ,  MEMSセンサ