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J-GLOBAL ID：201402280709883610   整理番号：14A0724980

黒リン電界効果トランジスタ

Black phosphorus field-effect transistors

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著者 (9件)： LI Likai (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YU Yijun (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YE Guo Jun (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  GE Gingqin (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  OU Xuedong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WU Hua (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  FENG Donglai (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Xian Hui (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  ZHANG Yuanbo (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 9  号： 5  ページ： 372-377  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ数ナノメートル以下の数層黒リン結晶に基づく電界効果トランジスタ(数層フォスフォレン電界効果トランジスタ)を作製した。黒リンは赤リンを1000°Cに加熱し10kbarの一定圧力下で合成した。バンド構造は角度分解光電子分光により評価した。室温において,7.5nmより薄い厚さの試料で,最高~10⁵のドレイン電流変調およびI-V特性の良好な電流飽和を有する信頼できるトランジスタ特性を達成した。電荷キャリア移動度は,厚さ~10nmで最大~1,000cm²V^-1s^-1の最高値を持ち,厚さに依存することが分かった。キャリア移動度は低温での電荷不純物散乱と高温での電子-フォノン散乱により制限されていた。二次元材料としての黒リン薄膜結晶はナノエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスデバイスへの応用可能性を有する。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  キャリア散乱 ,  電子-フォノン相互作用 ,  散乱 ,  不純物 ,  薄膜 ,  *黒リン ,  フォスフォレン ,  フォノン散乱 ,  不純物散乱
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  数層フォスフォレン ,  層状材料

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 黒リン ,  電界効果トランジスタ