文献
J-GLOBAL ID：201402294391057457
整理番号：14A0272570
並列-直列結合型探索方式に基づくエネルギー効率の良い2T-2MTJ不揮発性TCAMの設計
Design of an energy-efficient 2T-2MTJ nonvolatile TCAM based on a parallel-serial-combined search scheme
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資料名：
巻：
11
号：
3
ページ：
20131006-20131006 (J-STAGE)
発行年：
2014年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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磁気トンネル接合(MTJ)に基づく高密度でエネルギー効率の良い不揮発性三値連想メモリ(TCAM)のための並列-直列結合型探索方式を提案する。この方式は,単一探索に対してマルチビットごとの並列-直列探索を実行する。ワード回路における前置増幅段のカスコード構造と組合わせて電流源縮退セル構造によりマルチビットセルアレイ抵抗差を増幅することで,MOSおよびMTJデバイス特性の不規則変動下での4ビットまでのビット並列探索操作に対して2トランジスタ・2MTJデバイス(2T-2MTJ)型TCAMセル回路が使用できる。本提案の並列-直列結合探索方式においては,探索サイクル数および単一サイクルでの並列操作のビット長を最適化しており,電力消費と探索速度とのトレードオフを調整してセル活動度を最小化した。本提案の不揮発性TCAMが可変ビット並列-直列結合探索を実行する場合,本提案の不揮発性TCAMのセル活動度は3レベルセグメンテーション方式を用いた従来のビット並列不揮発性TCAMのものの60%まで低減され,許容範囲内の探索速度で高密度および高エネルギー効率を得ている。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路
引用文献 (8件)：
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[1] K. Pagiamtzis and A. Sheikholeslami: IEEE J. Solid-State Circuits 41 (2006) 712.
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[2] S. Matsunaga, K. Hiyama, A. Matsumoto, S. Ikeda, H. Hasegawa, K. Miura, J. Hayakawa, T. Endoh, H. Ohno and T. Hanyu: Appl. Phys. Express 2 (2009) 023004.
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[3] S. Matsunaga, M. Natsui, K. Hiyama, T. Endoh, H. Ohno and T. Hanyu: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DM05.
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[4] S. Matsunaga, M. Natsui, S. Ikeda, K. Miura, T. Endoh, H. Ohno and T. Hanyu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 063004.
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[5] S. Matsunaga, M. Natsui, S. Ikeda, K. Miura, T. Endoh, H. Ohno and T. Hanyu: Proc. ASP-DAC (2012) 475.
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