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J-GLOBAL ID：201402296510868372   整理番号：14A1471191

自動車への応用を目指したGaNを基本とするパワー素子の最近の進展

Recent progress of GaN power devices for automotive applications

著者 (1件)： KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 10  ページ： 100210.1-100210.10  発行年： 2014年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)には,多くのパワースイッチング素子が用いられている。HVとEVの効率を改善するために,Siを基本とするパワー素子よりも優れた性能特性,例えば,低いオン-抵抗,高速度,高温動作などの特長を備えたパワー素子が必要である。GaNを基本とする素子は,この要請を充たす有望な素子である。阻止電圧が600Vの横型GaNパワー素子および阻止電圧が1200Vの縦型GaNパワー素子は,それぞれサブシステム用の中出力パワー装置および主モーター駆動用の高出力装置に適している。HVおよびEVにおけるパワー素子の応用とGaNを基本とするパワー素子の現状を示す。また,パワー素子の信頼性についても議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体素子 ,  ハイブリッド自動車 ,  電気自動車 ,  *電圧 ,  信頼性 ,  高温 ,  高速度 ,  *オン抵抗 ,  *自動車
準シソーラス用語： *パワー素子 ,  *阻止電圧

分類 (2件)： 電気自動車  (QG07020B) ,  電力機器一般  (NB06000G)

引用文献 (62件)：

• N. Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang, and T. P. Ma, Phys. Status Solidi A 188, 213 (2001).
• Z. Diel, Compd. Semicond. 19 [2], 35 (2013).
• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, Solid-State Electron. 48, 1555 (2004).
• M. Kanechika, M. Sugimoto, N. Soejima, H. Ueda, O. Ishiguro, M. Kodama, E. Hayashi, K. Itoh, T. Uesugi, and T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L503 (2007).
• M. Kodama, M. Sugimoto, E. Hayashi, N. Soejima, O. Ishiguro, M. Kanechika, K. Itoh, H. Ueda, T. Uesugi, and T. Kachi, Appl. Phys. Express 1, 021104 (2008).

タイトルに関連する用語 (5件)： 自動車 ,  応用 ,  GaN ,  パワー素子 ,  進展