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J-GLOBAL ID：201402297959637266   整理番号：14A0590656

ZrO₂/Al₂O₃ゲート誘電体スタックを用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTsの減少したゲート漏洩と高い熱安定性

Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO₂/Al₂O₃ gate dielectric stack

著者 (5件)： HATANO Maiko (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TANIGUCHI Yuya (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KODAMA Shintaro (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 4  ページ： 044101.1-044101.4  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿で,ゲート誘電体スタックとしてZrO₂/Al₂O₃を使って作ったAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体高-電子-移動度トランジスタ(MIS-HEMT)を報告した。電流崩壊による動的オン抵抗と共にゲート漏洩特性をZrO₂(2nm)/Al₂O₃(2nm)/AlGaN/GaN MIS-HEMTで研究し,そして,Al₂O₃(4nm)とZrO₂(4nm)の単一ゲート絶縁体によるMIS-HEMTに対して比較した。Al₂O₃ゲート絶縁体が前方ゲート漏洩を減らし,そして,電流崩壊を抑えるのに効果的であることが判明した。一方ZrO₂誘電体の使用は,逆ゲート電流漏洩の抑制となった。合成ZrO₂/Al₂O₃MIS-HEMTは,ゲート漏洩とダイナミックオン抵抗に関して最高200°Cまで優れた安定性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,  酸化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  *HEMT ,  *ゲート【半導体】 ,  漏れ電流 ,  熱安定性 ,  電子移動速度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (25件)：

• E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001).
• T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003).
• P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Haider, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
• S. Basu, P. K. Singh, S.-K. Lin, P.-W. Sze, and Y.-H. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 57, 2978 (2010).
• N. Nepal, N. Y. Garces, D. J. Meyer, J. K. Hite, M. A. Mastro, and C. R. Eddy, Jr., Appl. Phys. Express 4, 055802 (2011).

タイトルに関連する用語 (9件)： ZrO2 ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  スタック ,  AlGaN ,  GaN ,  ゲート ,  漏洩 ,  熱安定性