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J-GLOBAL ID：201402298287631104   整理番号：14A0984379

電子ビーム誘導電流法によるSi(001)基板上の無添加n-BaSi₂エピタキシャル薄膜の少数キャリア拡散長の評価

Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi₂ epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique

著者 (10件)： BABA Masakazu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kentaro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kentaro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HARA Kosuke O. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SEKIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  USAMI Noritaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  USAMI Noritaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 7  ページ： 078004.1-078004.3  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400nm厚の無添加n-BaSi₂エピタキシャル薄膜を分子ビームエピタクシーによりn-Si(001)基板上に作製し,エッジ走査配置において電子ビーム誘導電流(EBIC)法によって少数キャリア拡散長を評価した。EBIC線走査プロファイルから,タングステンプローブからの距離に対する指数関数的依存性が明らかになった。n-BaSi₂膜の少数キャリア拡散長はほぼ1.5μmであることがわかった。この値はSi(111)上の無添加n-BaSi₂における値よりもかなり小さい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 薄膜 ,  *少数キャリア ,  *拡散距離 ,  MBE成長 ,  電子線誘起電流 ,  *ケイ化物 ,  *バリウム化合物 ,  エピタキシャル膜 ,  *ケイ化バリウム
準シソーラス用語： 拡散長 ,  分子ビームエピタクシー ,  電子ビーム誘導電流

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (17件)：

• K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu, Thin Solid Films 508, 363 (2006).
• K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 068001 (2011).
• M. Imai and T. Hirano, Phys. Rev. B 58, 11922 (1998).
• J. Evers, J. Less-Common Met. 69, 399 (1980).
• M. Imai and T. Hirano, J. Alloys Compd. 224, 111 (1995).

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子ビーム誘導電流 ,  Si ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  少数キャリア ,  拡散長 ,  評価