特許
J-GLOBAL ID：201403000673945800

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
常盤 直哉

常盤 直哉 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (13件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053499
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179148
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：
【課題】消費電流を削減し、動作速度を高速化することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】複数の第1の電位選択回路22は、第1の制御信号に従って電位生成回路の出力電圧のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する。第2の電位選択回路5は、複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線が接続され、第2の制御信号に従って、第1の信号線の電位をロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する。第1の放電回路は、第1の電位選択回路に設けられ、第1の信号線に接続されている。第2の放電回路は、第2の電位選択回路に設けられ、第2の信号線に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイに接続されたロウデコーダと、 複数の電位を生成する電位生成回路と、 前記電位生成回路に接続され、第1の制御信号に従って前記電位生成回路の出力電位のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する複数の第1の電位選択回路と、 前記複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線に接続され、第2の制御信号に従って、前記第1の信号線の電位を前記ロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する第2の電位選択回路と、 前記第1の電位選択回路に設けられ、前記第1の信号線に接続された第1の放電回路と、 前記第2の電位選択回路に設けられ、前記第2の信号線に接続された第2の放電回路と を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G11C17/00 633B ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 632D
Fターム (17件)：
5B125BA02 ,  5B125CA01 ,  5B125CA04 ,  5B125DA02 ,  5B125DA03 ,  5B125DA04 ,  5B125DA09 ,  5B125DE17 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EC03 ,  5B125EC05 ,  5B125EC06 ,  5B125EG08 ,  5B125EG18 ,  5B125EK07 ,  5B125FA02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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