高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史 , 正木克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-121559
公開番号（公開出願番号）：特開2014-028926
出願日： 2013年06月10日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：

【課題】化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、該高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式で示される繰り返し単位XAと、一般式で示されるカルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位B1及び/又はB2と、水酸基を含有する芳香族基を有する繰り返し単位C1及び/又は2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位C2とを含む、一般式(1)で示される高分子化合物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式で示される繰り返し単位XAと、下記一般式で示されるカルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位B1及び/又はB2と、水酸基を含有する芳香族基を有する繰り返し単位C1及び/又は2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位C2とを含む、下記一般式(1)で示される重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F 220/28 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , C08F 220/30 , C08F 220/12 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08F220/28 , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , C08F220/30 , C08F220/12 , H01L21/30 502R

Fターム (72件)：

2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF34P , 2H125AF38P , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ02Y , 2H125AJ04Y , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ42Y , 2H125AJ47Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ64Y , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CD08P , 2H125CD38 , 2H125FA03 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100BA02R , 4J100BA03R , 4J100BA03S , 4J100BA03T , 4J100BA11P , 4J100BA11S , 4J100BA15S , 4J100BA56S , 4J100BA56T , 4J100BB12S , 4J100BB12T , 4J100BB18S , 4J100BB18T , 4J100BC03Q , 4J100BC03T , 4J100BC04T , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC09T , 4J100BC12Q , 4J100BC12R , 4J100BC43R , 4J100BC43S , 4J100BC48Q , 4J100BC53P , 4J100BC53S

引用特許：

審査官引用 (7件)

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-211370 出願人：富士写真フイルム株式会社
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-203676 出願人：富士写真フイルム株式会社
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-211368 出願人：富士写真フイルム株式会社

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