特許
J-GLOBAL ID：201403007428454561

基板処理方法

発明者：
キム,ボヤン フーン

キム,ボヤン フーン について


出願人/特許権者：
ピーエスケー・インコーポレーテッド

ピーエスケー・インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-211925
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082494
出願日： 2013年10月09日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】絶縁層と半導体層との蝕刻段差を容易に調節できる基板処理方法が提供される。【解決手段】本発明による基板処理方法は、基板上に半導体層と絶縁層とを提供する段階(S10)と、前記基板上に活性ガスを提供して前記半導体層の第1上部面にキャッピング絶縁層を形成する段階(S20)と、前記基板上に蝕刻ガスを提供して前記絶縁層の第2上部面と前記キャッピング絶縁層とを蝕刻副産物形成する段階(S30)と、前記蝕刻副産物を除去して前記絶縁層と前記半導体層との蝕刻段差を調節する段階(S40)と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層と絶縁層とを提供する段階と、 前記基板上に活性ガスを提供して前記半導体層の第1上部面にキャッピング絶縁層を形成する段階と、 前記基板上に蝕刻ガスを提供して前記絶縁層の第2上部面と前記キャッピング絶縁層とを蝕刻副産物で形成する段階と、 前記蝕刻副産物を除去して前記絶縁層と前記半導体層との蝕刻段差を調節する段階と、を含む基板処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/824
FI (2件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (11件)：
5F083EP02 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F101BA01 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BH14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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