半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 岩永勇二 , 中村恵子 , 遠藤和光 , 野見山孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120898
公開番号（公開出願番号）：特開2012-246195
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】高い抵抗率(例えば、1×105Ωcm以上、1×1012Ωcm以下)、良好な抵抗率の均一性(例えば、ウエハ表面積の80%に相当するウエハ内周側の位置での抵抗率のバラツキが±30%以下)、及び良好な結晶性(例えば、X線(004)回折の半値幅が30〜300秒)を有する半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料GaClを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料NH3と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Cp2Feとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、金属のシアノ錯体からなる微粒子を1×1012/cm3以上の濃度で含まない半絶縁性窒化物半導体層とを備えた半絶縁性窒化物半導体ウエハ。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (3件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (34件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077AB09 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EB01 , 4G077EG24 , 4G077FJ06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045DA66 , 5F045EE12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR12 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (16件)

半絶縁性GaNおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-518986 出願人：クリーインコーポレイテッド
窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-186612 出願人：日立電線株式会社
III族窒化物製品及び同製品の作製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-545630 出願人：キーマテクノロジーズ,インク.

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