特許
J-GLOBAL ID:201403013111527032
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-070933
公開番号(公開出願番号):特開2014-195005
出願日: 2013年03月29日
公開日(公表日): 2014年10月09日
要約:
【課題】エッチング処理中に処理対象の膜の残り厚さを精密に検出するプラズマ処理装置または方法を提供する。【解決手段】処理中に前記ウエハ表面から得られた複数の波長の干渉光の強度を検出し、前記処理中の任意の時刻に検出した前記複数の波長の干渉光の強度からそれらの時間微分の時系列データを検出し、前記複数の波長についての前記時系列データを用いて波長をパラメータとする実微分波形パターンデータを検出し、この実微分波形パターンデータと前記ウエハの処理の前に予め2つの異なる下地膜の厚さを有した膜構造の前記処理対象の膜の残り厚さと前記干渉光の波長をパラメータとする基本微分波形パターンデータを用いて作成した検出用微分波形パターンデータとを比較した結果を用いて前記任意の時刻の残り膜厚さを算出し、この残り膜厚さを用いて前記処理の目標への到達を判定する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空容器の内部の処理室内に載置されたウエハ上面に予め形成された膜構造に含まれる処理対象の膜を前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理中に前記ウエハ表面から得られた複数の波長の干渉光の強度を検出するステップと、
前記処理中の任意の時刻に検出した前記複数の波長の干渉光の強度からそれらの時間微分の時系列データを検出するステップと、
前記複数の波長についての前記時系列データを用いて波長をパラメータとする実微分波形パターンデータを検出するステップと、
前記ウエハの処理の前に予め2つの異なる下地膜の厚さを有した膜構造の前記処理対象の膜の残り厚さと前記干渉光の波長をパラメータとする基本微分波形パターンデータを用いて作成した検出用微分波形パターンデータと前記実微分波形パターンデータとを比較した結果を用いて前記任意の時刻の残り膜厚さを算出するステップと、
前記残り膜厚さを用いて前記処理の目標への到達を判定するステップとを備えたプラズマ処理方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (6件):
5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004CB02
, 5F004CB09
, 5F004CB16
, 5F004DB02
引用特許:
審査官引用 (5件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-057426
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-051058
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-255801
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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