特許
J-GLOBAL ID：200903085066676839

半導体製造装置

発明者：
臼井 建人

臼井 建人 について

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吉開 元彦

吉開 元彦 について

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城尾 和博

城尾 和博 について

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中元 茂

中元 茂 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255801
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073567
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 半導体素子をより低廉に製造できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 容器内に配置されその表面に膜を有する半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、前記処理の所定の間前記ウエハ表面から得られる少なくとも2つの波長についての光の量の時間変化を検出する検出器と、前記2つの波長のうち一方の波長の光についての時間変化量が極大値となる時刻と他方の波長の光についての量が極小値となる時刻との間の時間と所定の値とを比較して、前記エッチング処理の状態を判定する判定手段とを備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
容器内に配置されその表面に膜を有する半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体製造装置であって、 前記処理の所定の間前記ウエハ表面から得られる少なくとも2つの波長についての光の量の時間変化を検出する検出器と、 前記2つの波長のうち一方の波長の光についての時間変化量が極大値となる時刻と他方の波長の光についての量が極小値となる時刻との間の時間と所定の値とを比較して、前記エッチング処理の状態を判定する判定手段とを備えた半導体製造装置。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 103
Fターム (8件)：
5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EB02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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