特許
J-GLOBAL ID：201403014387123519

マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

発明者：
吉川 良一

吉川 良一 について

, 
小笠原 宗博

小笠原 宗博 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047092
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007379
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによる寸法の変動を抑制する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、マルチビームを用いて縦横予め設定された制御グリッド間隔に基づいて試料上に各ビームを照射する場合の、歪み分を含むショット位置を演算する工程と、それぞれ直近の縦横2×2のビーム群のショット位置同士で囲まれる複数の第1の領域の各第1の領域内の予め設定された条件による条件位置を演算する工程と、それぞれ直近の複数の条件位置群で囲まれる複数の第2の領域について、第2の領域毎に、当該第2の領域と重なる描画されるための図形パターンの面積密度を演算する工程と、各第2の領域の面積密度に応じて、各第2の領域内をショット位置とするビームの照射時間を演算する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームによるマルチビームを用いて縦横予め設定された制御グリッド間隔に基づいて試料上に各ビームを照射する場合の、照射される各ビームの歪み分を含むショット位置を演算する工程と、 前記各ビームの歪み分を含むショット位置を用いて、それぞれ直近の縦横2×2のビーム群のショット位置同士で囲まれる複数の第1の領域の各第1の領域内の予め設定された条件による条件位置を演算する工程と、 前記複数の第1の領域の条件位置を用いて、それぞれ直近の複数の条件位置群で囲まれる複数の第2の領域について、第2の領域毎に、当該第2の領域と重なる描画されるための図形パターンの面積密度を演算する工程と、 各第2の領域の面積密度に応じて、各第2の領域内をショット位置とするビームの照射時間を演算する工程と、 求めた照射量或いは照射時間の各ビームを照射することで、試料にパターンを描画する工程と、 を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01J 37/305
FI (4件)：
H01L21/30 541D ,  H01L21/30 541M ,  G03F7/20 521 ,  H01J37/305 B
Fターム (11件)：
5C034BB07 ,  5C034BB10 ,  5F056AA07 ,  5F056AA12 ,  5F056AA15 ,  5F056AA20 ,  5F056BA08 ,  5F056CC02 ,  5F056CC12 ,  5F056CD02 ,  5F056CD13
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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