特許
J-GLOBAL ID：201403019285507969

III族窒化物の製造方法

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

熊谷 義直 について

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久保田 有紀

久保田 有紀 について

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永島 徹

永島 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-216860
公開番号（公開出願番号）：特開2014-069987
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：
【課題】III族ハロゲン化物ガスを用いたHVPE法によるIII族窒化物結晶の収率を向上させ、III族窒化物結晶の厚膜を製造する方法を提供する。【解決手段】ベース基板10表面に対して垂直な方向におけるIII族原料ガスの両側にバリアガスを少なくとも供給し、ベース基板10表面に近い側のバリアガスを第一バリアガスとし、ベース基板10表面から遠い側のバリアガスを第二バリアガスとしたとき、第一バリアガスの供給量を第二バリアガスの供給量よりも少なくなるようにバリアガスを供給することにより、長時間に渡って成長速度を維持したまま成長を続け、かつ、ベース基板10近傍への原料ガス供給量を向上することにより、III族窒化物結晶の収率を改善する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族原料ガスと窒素源ガスとの間にバリアガスを介在させて、かつ、該III族原料ガスをベース基板表面に沿った流れで供給することにより、該III族原料ガスと該窒素源ガスとを該ベース基板表面で反応させて、該ベース基板表面にIII族窒化物を製造する方法において、 該ベース基板表面に対して垂直な方向における該III族原料ガスの両側にバリアガスを少なくとも供給し、 該ベース基板表面に近い側のバリアガスを第一バリアガスとし、該ベース基板表面から遠い側のバリアガスを第二バリアガスとしたとき、該第一バリアガスの供給量(V1)を該第二バリアガスの供給量(V2)よりも少なくなるようにバリアガスを供給することを特徴とするIII族窒化物の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 C ,  C30B25/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (53件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077EA06 ,  4G077EG22 ,  4G077EG23 ,  4G077EG24 ,  4G077EH09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TA11 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC04 ,  4G077TC09 ,  4G077TG01 ,  4G077TH06 ,  4G077TH11 ,  4G077TJ02 ,  4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA12 ,  4K030KA02 ,  4K030KA09 ,  4K030LA14 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF14 ,  5F045EF15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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