特許
J-GLOBAL ID：200903098869316518
III族窒化物結晶の作製装置およびIII族窒化物結晶の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-147066
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317949
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。【解決手段】作製装置10の供給系14は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管14aからは、金属Alと第1ガスg1中のHClガスとの反応で生成するAlClxガスを供給する。供給管14bからはNH3ガス含む第2ガスg2を供給する。供給管14cからは、第3ガスg3としてAlClxとNH3との反応によるAlNの生成を抑制するガス(例えばN2ガス)を供給する。供給管14aの端部14e近傍の領域において、サセプタ12側へと供給されるAlClxガスを取り囲むように第3ガスg3の流れが形成されるので、当該領域においてAlClxガスとNH3ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部14eへのAlNの析出が効果的に抑制される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応管内でIII族元素のハロゲン化物含有ガスと窒素元素含有ガスとを気相反応させることによって基板の上にIII族窒化物結晶を作製する装置であって、
前記反応管内に一方端部が位置するように前記反応管に挿通されてなるハロゲン化物含有ガス導入管を通じて前記ハロゲン化物含有ガスを前記反応管内に供給するハロゲン化物含有ガス供給手段と、
前記窒素元素含有ガスを前記反応管内に供給する窒素元素含有ガス供給手段と、
前記III族窒化物の形成を補助するための補助ガスを供給する補助ガス供給手段と、
を備え、
前記ハロゲン化物含有ガス導入管から供給される前記ハロゲン化物含有ガスが前記基板近傍に向けて整流されるように前記補助ガスを供給する、
ことを特徴とするIII族窒化物結晶の作製装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, C30B 25/14
, C23C 16/34
, C23C 16/455
H01L21/205
, C30B29/38 C
, C30B25/14
, C23C16/34
, C23C16/455
4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077DB05
, 4G077DB06
, 4G077DB21
, 4G077EA06
, 4G077HA01
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TB03
, 4G077TB13
, 4G077TD06
, 4G077TE02
, 4G077TG04
, 4G077TH06
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA38
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030HA15
, 4K030KA02
, 4K030LA14
, 5F045AA03
, 5F045AB09
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AD18
, 5F045BB15
, 5F045DP04
, 5F045DQ06
, 5F045EE20
, 5F045EF01
