特許
J-GLOBAL ID：201403019576396463

半導体装置

発明者：
杉浦 政幸

杉浦 政幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 砂井 正之 ,  藤原 康高 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108033
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229737
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
【課題】高周波半導体スイッチの耐圧低下を抑制する。【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、ゲート電極、ソース領域及びドレイン領域、ボディコンタクト領域、ボディバイアス制御電極が設けられる。ゲート電極は、第1間隔で並列配置された複数の第1部分と、複数の第1部分を接続する第2部分とから構成され、ゲート絶縁膜を介して設けられる。ソース領域及びドレイン領域は、複数の第1部分の間に設けられる。ボディコンタクト領域は、第2部分に対してソース領域及びドレイン領域とは反対側に配置される。ボディバイアス制御電極は、第2部分と並列であって、ボディコンタクト領域上に設けられ、第2部分との間の第2間隔が第1間隔よりも大きく、ボディコンタクト領域に接続される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1間隔で並列配置された複数の第1部分と、前記複数の第1部分を接続する第2部分とから構成され、ゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極と、 前記複数の第1部分の間に設けられるソース領域及びドレイン領域と、 前記第2部分に対して前記ソース領域及びドレイン領域とは反対側に配置されるボディコンタクト領域と、 前記第2部分と並列であって、前記ボディコンタクト領域上に設けられ、前記第2部分との間の第2間隔が前記第1間隔よりも大きく、前記ボディコンタクト領域に接続されるボディバイアス制御電極と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 P
Fターム (19件)：
4M104AA09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE24 ,  5F110GG60 ,  5F110HL14 ,  5F110HM04 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65
引用特許：
審査官引用 (5件)
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