特許
J-GLOBAL ID：201403020579761497

半導体装置

発明者：
佐藤 友彦

佐藤 友彦 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256135
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103352
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】ゲート閾値にばらつきが生じることを適切に抑制するとともに、ターンオフ時のサージ電圧を適切に抑制できる半導体装置を開示する。【解決手段】半導体装置10を平面視した場合に、トレンチ12の長手方向に沿ってチャネル領域20と非チャネル領域が配置されている。トレンチ12は、チャネル領域内に位置する第1トレンチ部と、非チャネル領域50内に位置する第2トレンチ部12bを含む。第1トレンチ部は、基板の表面からエミッタ領域及び第1ボディ領域を貫通して形成され、その下端部が第1ドリフト領域内に突き出している。第2トレンチ部12bは、基板の表面から第2ボディ領域54を貫通して形成され、その下端部が第2ドリフト領域56内に突き出している。第2ドリフト領域56内に突き出している第2トレンチ部12bの突き出し長さは、第1ドリフト領域内に突き出している第1トレンチ部の突き出し長さと比べて短い。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板に、トレンチと、トレンチの内面を覆う絶縁膜と、絶縁膜で覆われた状態でトレンチ内に収容されているゲート電極とが備えられている半導体装置であって、 半導体基板を平面視した場合に、トレンチの長手方向に沿ってチャネル領域と非チャネル領域が配置されており、 トレンチは、チャネル領域内に位置する第1トレンチ部と、非チャネル領域内に位置する第2トレンチ部を含み、 半導体基板の表面側には表面電極が接続されており、 半導体基板の裏面側には裏面電極が接続されており、 半導体基板を、チャネル領域においてトレンチの長手方向に直交する平面で切断した第1断面で見た場合に、 チャネル領域は、 半導体基板の表面側に設けられた第1導電型のコンタクト領域と、 コンタクト領域より深い位置に設けられているとともにコンタクト領域に隣接する第2導電型の第1ボディ領域と、 第1ボディ領域より深い位置に設けられているとともに第1ボディ領域によってコンタクト領域から分離されている第1導電型の第1ドリフト領域と、を有しており、 前記第1トレンチ部は、半導体基板の表面からコンタクト領域及び第1ボディ領域を貫通して形成され、その深さ方向の下端部が第1ドリフト領域内に突き出しており、 半導体基板を、非チャネル領域においてトレンチの長手方向に直交する平面で切断した第2断面で見た場合に、 非チャネル領域は、 半導体基板の表面側に設けられた第2導電型の第2ボディ領域と、 第2ボディ領域より深い位置に設けられているとともに第2ボディ領域に隣接する第1導電型の第2ドリフト領域と、を有しており、 前記第2トレンチ部は、半導体基板の表面から第2ボディ領域を貫通して形成され、その深さ方向の下端部が第2ドリフト領域内に突き出しており、 第2ドリフト領域内に突き出している第2トレンチ部の突き出し長さは、第1ドリフト領域内に突き出している第1トレンチ部の突き出し長さと比べて短い、 ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/739
FI (6件)：
H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655A
引用特許：
審査官引用 (5件)
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