特許
J-GLOBAL ID：201403020965413568

クリーニング用組成物

発明者：
リ イ-チア

リ イ-チア について

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マドゥカー バスカラ ラオ

マドゥカー バスカラ ラオ について

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ガウタム バナジー

ガウタム バナジー について

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リウ ウェン ダー

リウ ウェン ダー について

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アイピン ウ

アイピン ウ について

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稲岡 誠二

稲岡 誠二 について


出願人/特許権者：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-219489
公開番号（公開出願番号）：特開2014-084464
出願日： 2013年10月22日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】パターニングされたマイクロエレクトロニクス・デバイスからエッチング後及び/又はアッシュ後の銅含有残留物を除去するための組成物及び方法を提供する。【解決手段】除去用組成物は、水と、水混和性有機溶媒と、アミン化合物と、有機酸と、フッ化物イオン供給源を含む。当該組成物は、露出した低k誘電材料と金属相互接続材料にダメージを与えることなく、マイクロエレクトロニクス・デバイスからエッチング後銅含有残留物を有効に除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
a)約15重量%〜約50重量%の水と、 b)約10重量%〜約65重量%の水混和性有機溶媒と、 c)少なくとも1種類のアルカノールアミン及びアミノプロピルモルホリンからなる群より選択される約1重量%〜約50重量%のアミン化合物と、 d)約1重量%〜約25重量%の有機酸と、 e)約0.01重量%〜約8重量%のフッ化物イオン供給源と を含み、前記水混和性有機溶媒がエーテルではない、半導体基材から残留物を除去するのに有用な組成物。
IPC (5件)：
C11D 7/50 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/04 ,  H01L 21/304
FI (6件)：
C11D7/50 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/04 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z
Fターム (40件)：
4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC01 ,  4H003EA22 ,  4H003EB05 ,  4H003EB07 ,  4H003EB14 ,  4H003EB17 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003FA04 ,  5F157AA32 ,  5F157AA34 ,  5F157AA35 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA65 ,  5F157AA95 ,  5F157AB02 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB66 ,  5F157BC03 ,  5F157BC54 ,  5F157BD09 ,  5F157BE12 ,  5F157BE34 ,  5F157BE35 ,  5F157BF12 ,  5F157BF23 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB14 ,  5F157DB41 ,  5F157DB46 ,  5F157DB57
引用特許：
審査官引用 (4件)
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