特許
J-GLOBAL ID：201403023586025550
荷電粒子線照射装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柳 康樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-156669
公開番号（公開出願番号）：特開2014-020800
出願日： 2012年07月12日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】精度良く荷電粒子線の照射を行うことができる荷電粒子線照射装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線照射装置1では、ディグレーダ30が、走査方向における外側へ向かうに従って、荷電粒子線Rの上流側に位置している。これにより、ディグレーダ30の走査方向における全体的な形状が、荷電粒子線Rの偏向の起点である走査電磁石3a,3bに対し、湾曲するような形状となる。従って、偏向角θが大きい荷電粒子線Rのディグレーダ30内の通過距離が大きくなることを抑制することができる。以上により、精度良く荷電粒子線の照射を行うことができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
荷電粒子線を走査する走査電磁石と、
前記走査電磁石よりも前記荷電粒子線の下流側に設けられ、前記荷電粒子線のエネルギーを低下させて前記荷電粒子線の飛程を調整するディグレーダと、を備え、
前記ディグレーダは、前記走査方向における外側へ向かうに従って、前記荷電粒子線の上流側に位置することを特徴とする荷電粒子線照射装置。
IPC (3件)：
G21K 3/00
, G21K 5/04
, A61N 5/10
G21K3/00 W
, G21K5/04 A
, A61N5/10 H
, A61N5/10 F
4C082AC05
, 4C082AC06
, 4C082AE02
, 4C082AG02
, 4C082AN02
, 4C082AN04
, 4C082AP03
, 4C082AP12
