特許
J-GLOBAL ID:201403025032223069
整流回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-029340
公開番号(公開出願番号):特開2014-027253
出願日: 2013年02月18日
公開日(公表日): 2014年02月06日
要約:
【課題】シリコンカーバイト等の高価な半導体材料を使用しなくても、逆回復時間が短くて、高耐圧かつ信頼性の高い整流回路を提供する。【解決手段】整流回路1は、整流素子2およびユニポーラ型電界効果トランジスタ3を備える。整流素子2および電界効果トランジスタ3は、直流動作時には、逆バイアス時に整流素子2を流れる第1リーク電流が電界効果トランジスタのゲート電極およびソース電極の間に閾値以下の電圧が印加されているときにソース電極およびドレイン電極を流れる第2リーク電流よりも大きくなるように形成され、交流動作時には、整流素子2が逆バイアスに切り替わる際に、逆バイアスの期間内に整流素子2の接合容量への充電が完了し、かつ接合容量の充電中に整流素子2から電界効果トランジスタ3のソース電極およびドレイン電極に流れる電流が電界効果トランジスタ3の安全動作領域内に収まるように形成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1端子および第2端子間に直列接続される整流素子およびユニポーラ型電界効果トランジスタを備え、
前記整流素子は、前記第1端子から前記第2端子に向かって順方向電流が流れる方向に沿って配置される第1電極および第2電極を有し、
前記電界効果トランジスタは、
前記第1電極と同電位のゲート電極と、
前記整流素子に直列接続され、前記ゲート電極の電位に応じた電流を流すソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記第1端子よりも前記第2端子の方が電位が高い逆バイアス時における前記電界効果トランジスタのゲート電極とドレイン電極との間の耐圧は、前記整流素子の耐圧よりも高く、
前記整流素子および前記電界効果トランジスタは、
直流動作を行う場合には、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位より高くなる逆バイアス時に前記整流素子を流れる第1リーク電流が前記電界効果トランジスタのゲート電極およびソース電極の間に閾値以下の電圧が印加されているときにソース電極およびドレイン電極を流れる第2リーク電流よりも大きく、かつ前記第2リーク電流とドレイン電極およびソース電極間の電圧との関係が前記電界効果トランジスタの安全動作領域内に収まるように形成され、
交流動作を行う場合には、前記整流素子が逆バイアスに切り替わる際に、前記逆バイアスの期間内に前記整流素子の接合容量への充電が完了し、かつ前記接合容量の充電中に前記整流素子から前記電界効果トランジスタのソース電極およびドレイン電極に流れる電流が前記電界効果トランジスタの安全動作領域内に収まることを特徴とする整流回路。
IPC (10件):
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/823
, H01L 27/06
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 27/095
FI (5件):
H01L29/80 H
, H01L27/06 102A
, H01L29/48 F
, H01L29/80 P
, H01L29/80 E
Fターム (39件):
4M104AA01
, 4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104FF02
, 4M104FF32
, 4M104GG03
, 4M104GG08
, 4M104GG12
, 4M104HH20
, 5F048AA05
, 5F048AA07
, 5F048AB10
, 5F048AC02
, 5F048AC09
, 5F048AC10
, 5F048BA02
, 5F048BA06
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BC03
, 5F048BF11
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F102GA14
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD10
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GQ03
, 5F102GR04
, 5F102GR12
, 5F102GV05
引用特許:
引用文献:
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