半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 山口昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-111266
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229879
出願日： 2013年05月27日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】ゲートしきい値電圧が安定的で、かつ、ゲートリーク電流の低い半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成された絶縁層と、前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記絶縁層の上に形成されたゲート電極と、を有し、前記絶縁層は、酸化物を含む材料により形成されており、前記第2の半導体層の側より、第1の絶縁層、第2の絶縁層の順で積層することにより形成されているものであって、前記第2の絶縁層に単位体積当たりに含まれる水酸基の量よりも、前記第1の絶縁層に単位体積当たりに含まれる水酸基の量が少ないことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成された絶縁層と、前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記絶縁層の上に形成されたゲート電極と、を有し、前記絶縁層は、酸化物を含む材料により形成されており、前記第2の半導体層の側より、第1の絶縁層、第2の絶縁層の順で積層することにより形成されているものであって、前記第2の絶縁層に単位体積当たりに含まれる水酸基の量よりも、前記第1の絶縁層に単位体積当たりに含まれる水酸基の量が少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/316

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/283 B , H01L21/283 C , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L21/316 X

Fターム (56件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD08 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG08 , 4M104GG18 , 5F058BA20 , 5F058BD05 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F058BJ01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GV06 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BD06 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF43 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK29 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-211561 出願人：富士通株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-234961 出願人：富士通株式会社
HEMT装置を製造するCMOSコンパチブルな方法とそのHEMT装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-138007 出願人：アイメック

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