特許
J-GLOBAL ID：201403031267018560

近接場トランスデューサを備える装置

発明者：
チャオ・トン

チャオ・トン について

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マイケル・クリストファー・カウツキー

マイケル・クリストファー・カウツキー について

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マイケル・アレン・セイグラー

マイケル・アレン・セイグラー について

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チャオ・ヨンジュン

チャオ・ヨンジュン について

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ジェイ・ジャヤシャンカル

ジェイ・ジャヤシャンカル について

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ファン・シャオユエ

ファン・シャオユエ について


出願人/特許権者：
シーゲイト テクノロジー エルエルシー

シーゲイト テクノロジー エルエルシー について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-125430
公開番号（公開出願番号）：特開2014-010882
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】近接場トランスデューサ(NFT)を含む装置を提供する。【解決手段】磁気装置300は、近接場トランスデューサ(NFT310)と、NFT310に隣接する少なくとも1つのクラッド層315、320、325、330と、NFT310と少なくとも1つのクラッド層315,320、325、330との間に位置決めされる不連続金属層335とを含む。この不連続金属層により、NFT310を周囲のクラッド層315、320にしっかりと接着し、磁気装置の動作の間の故障を防止する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
装置であって、 近接場トランスデューサ(NFT)と、 前記NFTに隣接する少なくとも1つのクラッド層と、 前記NFTと前記少なくとも1つのクラッド層との間に位置決めされる不連続金属層とを備える、装置。
IPC (2件)：
G11B 5/31 ,  G11B 5/02
FI (2件)：
G11B5/31 Z ,  G11B5/02 T
Fターム (8件)：
5D033AA05 ,  5D033BA71 ,  5D033BA80 ,  5D033BB51 ,  5D033CA04 ,  5D091AA10 ,  5D091CC30 ,  5D091HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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