特許

J-GLOBAL ID：201403032245784761

SiC単結晶の製造方法

発明者： 加渡 幹尚 ,  楠 一彦 ,  亀井 一人
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  新日鐵住金株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-190547
公開番号（公開出願番号）：特開2014-047096
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：

【課題】溶液法において、従来よりも成長速度を大幅に向上することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 前記Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/10

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/10

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EA01 ,  4G077EG01 ,  4G077EG05 ,  4G077EH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA38 ,  4G077QA62

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-179412   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105567   出願人：住友金属工業株式会社
• p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-018027   出願人：トヨタ自動車株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-033949   出願人：トヨタ自動車株式会社