特許
J-GLOBAL ID：200903005692456987

p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶

発明者：
関 章憲

関 章憲 について

, 
藤原 靖幸

藤原 靖幸 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-018027
公開番号（公開出願番号）：特開2009-179491
出願日： 2008年01月29日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】実用レベルまで比抵抗を低減したp型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶を提供する。【解決手段】Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。上記の方法により製造され、不純物として1×1020cm-3のAlおよび2×1018〜7×1018cm-3のNを含有することを特徴とするp型SiC半導体単結晶。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、 上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077HA05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA34 ,  4G077QA71
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (3件)

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