特許
J-GLOBAL ID：201403034462125698

半導体装置及びその製造方法

発明者：
石橋 秀俊

石橋 秀俊 について

, 
山口 義弘

山口 義弘 について

, 
吉松 直樹

吉松 直樹 について

, 
古賀 英浩

古賀 英浩 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-021030
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154611
出願日： 2013年02月06日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】本発明は、接合部の信頼性が高いダイレクト・リード・ボンディング構造の半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、複数の半導体チップ5と、複数の半導体チップ5上に配置されて複数の半導体チップ5を接続するプレート電極7と、プレート電極7上に配置される電極17と、を備える。電極17は、プレート電極7と接合する間欠した複数の接合部17aと、複数の接合部17aから立設状に突出した突出部とを有する。突出部は、接合部17aに平行で、外部電極と超音波接合される超音波接合部17bを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップと、 前記複数の半導体チップ上に配置されて前記複数の半導体チップを接続するプレート電極と、 前記プレート電極上に配置される電極と、を備え、 前記電極は、前記プレート電極と接合する間欠した複数の接合部と、前記複数の接合部から立設状に突出した突出部を有し、 前記突出部は、前記接合部に平行で、外部電極と超音波接合される超音波接合部を有する、 半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/60 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29
FI (4件)：
H01L21/60 321E ,  H01L25/04 C ,  H01L21/56 T ,  H01L23/36 A
Fターム (11件)：
5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061FA05 ,  5F136BA30 ,  5F136BC03 ,  5F136DA01 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA03 ,  5F136FA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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