特許
J-GLOBAL ID:201403037342038090

配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-218914
公開番号(公開出願番号):特開2014-072467
出願日: 2012年09月29日
公開日(公表日): 2014年04月21日
要約:
【課題】半導体集積回路素子への電源供給能力が高いとともに、放熱性に優れる配線基板を提供すること。【解決手段】半導体集積回路素子Sの1個ずつの電極Tに対して電気的に独立して接続される独立パッド10aと、半導体集積回路素子Sの複数個の電極Tに対して電気的に共通して接続される統合パッド10bとを含む複数の半導体素子接続パッド10を、上面側の最外層の絶縁樹脂層2の下に有しており、この最外層の絶縁樹脂層2に設けた開口部11a、11b内の独立パッド10a上および統合パッド10b上に、最外層の絶縁樹脂層2の上面から突出する導体柱11a、11bが形成されて成る配線基板であって、統合パッド10b上に形成された導体柱11bは、複数個の電極Tに対応する部分が1つに繋がった状態で最上層のの絶縁樹脂層2の上面から突出している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の絶縁樹脂層と、該第1の絶縁樹脂層上に形成されており、半導体集積回路素子の1個ずつの電極に対して電気的に独立して接続される独立パッドおよび半導体集積回路素子の複数個の電極に対して電気的に共通して接続される統合パッドを含む複数の半導体素子接続パッドと、前記第1の絶縁樹脂層および前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記半導体素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有する第2の絶縁樹脂層と、前記開口部内の前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記第2の絶縁樹脂層の上面から突出する導体柱とを具備して成る配線基板であって、前記統合パッド上に形成された前記導体柱は、複数個の前記電極に対応する部分が1つに繋がった状態で前記第2の絶縁樹脂層の上面から突出していることを特徴とする配線基板。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (1件):
H01L23/12 501B
引用特許:
審査官引用 (6件)
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