特許
J-GLOBAL ID：201403038112169922

半導体スイッチ回路、超音波画像診断装置及び半導体テスタ

発明者：
山下 史哲

山下 史哲 について

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相沢 淳一

相沢 淳一 について

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本多 啓伸

本多 啓伸 について

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松村 和剛

松村 和剛 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立パワーデバイス

株式会社 日立パワーデバイス について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-015913
公開番号（公開出願番号）：特開2014-145743
出願日： 2013年01月30日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：
【課題】 従来技術のソース端子を接続した2つのnチャネル型MOSFETからなるスイッチ回路では、nチャネル型MOSFETのドレイン-ソース電圧特性により、使用する信号電圧の範囲によってオン抵抗が変動する可能性がある。【解決手段】 主スイッチ回路において、ソース端子を接続した2つのnチャネル型MOSFETと同じくソース端子を接続した2つのpチャネル型MOSFETとを並列に設けることで、スイッチ駆動電圧が“H”のときにnチャネル型MOSFETがオンし、“L”のときにpチャネル型MOSFETがオンすることでnチャネル型MOSFETスイッチとpチャネル型MOSFETスイッチを併用する。使用する信号の電圧範囲によらず安定したオン抵抗特性を持ち高速にスイッチング動作を行う半導体スイッチ回路を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2のnチャネル型MOSFETのソース端子を互いに接続し、前記第1及び第2のnチャネル型MOSFETのドレイン端子をそれぞれ第1及び第2の信号入出力端子に接続する第1のスイッチ回路と、第3及び第4のpチャネル型MOSFETのソース端子を互いに接続し、前記第3及び第4のpチャネル型MOSFETのドレイン端子をそれぞれ前記第1及び第2の信号入出力端子に接続する第2のスイッチ回路とを有する主スイッチ回路と、 前記主スイッチ回路のオン・オフを制御する駆動回路と を備えた半導体スイッチ回路。
IPC (6件)：
G01R 31/26 ,  A61B 8/00 ,  H03K 17/06 ,  H03K 17/04 ,  H03K 17/687 ,  H03K 17/00
FI (7件)：
G01R31/26 G ,  A61B8/00 ,  G01R31/26 B ,  H03K17/06 C ,  H03K17/04 E ,  H03K17/687 G ,  H03K17/00 D
Fターム (34件)：
2G003AA02 ,  2G003AA07 ,  2G003AB03 ,  2G003AB06 ,  2G003AE02 ,  2G003AE06 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  4C601EE03 ,  4C601EE12 ,  4C601GB21 ,  5J055AX02 ,  5J055AX05 ,  5J055BX17 ,  5J055CX24 ,  5J055DX22 ,  5J055DX62 ,  5J055DX72 ,  5J055DX73 ,  5J055DX83 ,  5J055EX02 ,  5J055EX07 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ12 ,  5J055EZ28 ,  5J055FX05 ,  5J055FX18 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04 ,  5J055GX05 ,  5J055GX06
引用特許：
審査官引用 (8件)
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