特許
J-GLOBAL ID:201403038146093160
レーザ加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-106966
公開番号(公開出願番号):特開2014-226682
出願日: 2013年05月21日
公開日(公表日): 2014年12月08日
要約:
【課題】基板10を切断するレーザ加工において、基板表面の各区画内に装着した光半導体素子を封止する透明樹脂レンズ体40の表面における焼損若しくは傷損を防止する。【解決手段】基板10の切断予定線20に沿って第一列目区画31の始端側位置30aからその中心位置Cまでレーザ光Lを照射して切断すると共に、第一列目区画31の中心位置Cから第二列目区画32の始端側位置30aまでレーザ光Lの照射を停止し、更に、最終列目区画までレーザ光Lの照射と停止とを繰り返して各列区画の始端側位置30aからその中心位置Cまでの各区間60を切断する往路切断工程と、この往路切断工程を経た切断予定線20の最終列目区画における終端側位置30bからその中心位置Cまでレーザ光Lを照射して切断し、更に、第一列目区画31までレーザ光Lの照射を繰り返して各列区画の終端側位置30bからその中心位置Cまでの各区間70を切断する復路切断工程とを含むレーザ加工方法。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板の表面に格子状の切断予定線を設定した多数の区画内に半導体デバイスを装着して封止することにより、前記基板表面の高さと前記半導体デバイス封止体との高さとに高低差を有する被加工物に対して、その前記切断予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板を前記各区画毎に切断して分離するレーザ加工方法であって、
前記基板の切断予定線に沿って前記第一列目の区画における始端側の位置からその中心位置までレーザ光を照射してこの切断予定線の区間を切断すると共に、前記第一列目の区画における中心位置から前記第二列目の区画における始端側の位置までレーザ光の照射を停止してこの切断予定線の区間を切断しないようにし、更に、前記最終列目の区画に至るまで前記した切断予定線上におけるレーザ光の照射と停止とを繰り返すことにより、前記切断予定線に沿って前記各列の区画における始端側の位置からその中心位置までレーザ光を照射してこの切断予定線の各区間を切断する往路切断工程と、
前記往路切断工程を経た前記切断予定線の前記最終列目の区画における終端側の位置から第一列目の区画におけるその中心位置までレーザ光を照射してこの間における未切断個所である前記切断予定線の各区間を切断する復路切断工程と、
前記往路切断工程及び前記復路切断工程における少なくとも前記基板の切断予定線へのレーザ光照射時において前記切断予定線の部位にアシストガスを吹き付けて供給するアシストガス吹付工程とを含み、
更に、前記基板の各切断予定線に沿って前記往路切断工程を行い、次に、前記往路切断工程を経た前記切断予定線の前記復路切断工程を行うことによって前記基板における前記各区画を各別に切断して分離することを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件):
B23K 26/38
, B23K 26/142
, B23K 26/40
, H01L 21/301
FI (4件):
B23K26/38 320
, B23K26/14 A
, B23K26/40
, H01L21/78 B
Fターム (14件):
4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CJ01
, 4E068DA10
, 4E068DB10
, 4E068DB11
, 5F063AA15
, 5F063BA20
, 5F063BA34
, 5F063CA06
, 5F063DD26
, 5F063DD32
, 5F063DE02
, 5F063DE33
引用特許: